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华瑞微产品中心

PRODUCTS CENTER

SGT MOS  下载资料

具有栅漏电容(Cgd)小,开关损耗低 ,优值(FOM)低,抗大电流冲击能力(EAS)强等特点

采用电荷平衡原理,使得N型漂移区即使在较高掺杂浓度的情况下也能实现较高的击穿电压,从而获得较低的导通电阻,打破传统功率MOSFET的硅极限。 HRmicro SGT产品具有栅漏电容(Cgd)小,开关损耗低 ,优值(FOM)低,抗大电流冲击能力(EAS)强等特点,结合先进的封装技术增加了源极金属的接触面积,减少封装寄生电阻,增强了器件高温工作状态下的散热性能。

SUPER JUNCTION资料下载

比传统VDMOS具有更快的开关速度,更低的开关损耗,更优的转换效率

HRmicro推出的第二代、第三代超结MOSFET系列产品,打破了传统平面VDMOS的硅极限,使得导通电阻与击穿电压的关系得到了极大的改进,由传统的2.5次方变为线性关系,极大的优化了器件的品质因数FOM(Rdson*Qg),比传统VDMOS具有更快的开关速度,更低的开关损耗,更优的转换效率;第二代及第三代超结MOSFET分别针对性的优化了EMI特性、产品特征导通电阻特性,同时,也带来了DFN 8*8、TO-247等多种多样的封装形式,全面适用于照明应用、各类电源、适配器、手机、电脑等多种应用场景; 第二代及第三代超结同时推出了快恢复系列产品,极大的缩短了超结MOSFET的反向恢复时间,提高了反向恢复能力,降低了反向恢复损耗,适用于半桥、全桥等拓扑电路中,可应用于各种大功率电源、充电桩等产品中。

TRENCH MOS资料下载

具有抗冲击能力强,输出效率高,成本低等特点

沟槽式金属氧化物场效应晶体管( Trench MOSFET )与传统VDMOS相比,具有更低的导通电阻Rdson和栅漏电荷密度,从而可实现更低的导通和开关损耗及更快的开关速度。HRmicro的Trench MOSFET通过采用最先进的沟槽技术和芯片布局,可应用于工作频率小于100kHz的各种应用领域,很好的补充HRmicro的SGT系列产品,具有抗冲击能力强,输出效率高,成本低等特点;HRmicro结合最先进的封装技术,可实现更高的输出功率和可靠性,同时拥有各种小封装产品可进一步提高电路集成度。

应用领域
  • 消费电子
  • LED照明电源
  • 工业电源
  • 直流电机驱动
  • 新能源汽车充电桩
  • 光伏逆变器
  • BMS锂电保护

消费电子


CONSUMER ELECTRONICS

TV电源、适配器、PD快充等

        消费类电子产品中开关电源发展的趋势是高功率密度小体积、高效率、高性价比,尤其对人们日常出行的随身电源如PD快充,笔记本电源要求越来越小、轻、薄。
        HRmicro推出优质产品满足工程师要求高效率、稳定可靠的设计需求。


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消费电子市场HRmicro主推产品           
         

超结 MOS

  600V~650V 2A~30A

LV Trench MOS

  N MOS 20V~120V;P MOS -20V~-100V

LV SGT MOS

  N 30V~120V


LED照明电源


LED LIGHTING POWER SUPPLY

        LED照明灯具有巨大节能作用,将会取代传统光源。由于LED是特性敏感的半导体器件,又具有负温度特性,因而在应用过程中需要对其进行稳定工作状态和保护,所以对开关MOS元件的要求较高。LED驱动电源应挑战更高的转换效率,尤其是在路灯、工矿灯大功率产品时更是如此,因为所有未作为光输出的功率都作为热量耗散,电源转换效率过低,严重影响LED节能效果的发挥。随着节能减排深入人心,能效标准会越来越严格。
        HRmicro推出优质多层外延超结MOS产品满足工程师要求高效率、稳定可靠的设计需求。

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LED照明市场HRmicro主推产品超结MOS: 650V~700V 4A~20A 普通为主,少量FRD。



工业电源


INDUSTRIAL POWER

        PC电源、服务器电源都是开关型电源,功率偏大400W-3500W,各国能效标准要求等级很多(服务器电源能效标准80Plus:白牌80%/铜牌82%/银牌85%/金牌90%/白金95%),所以HRmicro推出多层外延超结MOS产品在效率方面可以提供可靠的高质量产品。
        贴牌及品牌PC电源、服务器电源、工业设备电源、通讯电源市场一直在追求更高功率密度与效率的开关电源产品。我们还可提供散热与改善EMC设计的选择,协助客户制定最佳的PC电源、服务器电源解决方案,实现更高效率及更低系统BOM总成本的目标。


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工业电源市场HRmicro主推产品

超结 MOS   600V~650V 11A~80A
LV Trench MOS   N MOS 30V~100V
LV SGT MOS   N 30V~150V



直流电机驱动


DC MOTOR DRIVE

        直流无刷电机由电动机主体和驱动器组成,是一种典型的机电一体化产品。 直流无刷电机驱动器用来驱动直流无刷电机,直流无刷电机在以下几个市场运用很多。在办公计算机外围设备、数码电子消费品(打印机、传真机、复印机、硬盘驱动器、软盘驱动器、摄影机、磁带记录仪等、航模电调)、工业控制(纺织、冶金、印刷、自动化生产流水线、数控机床等)、医疗设备(人工心脏中的小型血泵、手术用高速器具的高速离心机、热像仪和测温仪的红外激光调制器)、汽车领域(雨刷器、电动车门、汽车空调、电动车窗、电动助力车)、家用电器领域(抽烟机、摇摇杯、果汁机、筋模枪、按摩器、吸尘器、电动工具)。

        HRmicro推出优质Trench与SGT低压MOS产品满足工程师要求高效率、强抗冲击能力的可靠设计需求。

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直流电机驱动市场HRmicro主推LV MOS产品

LV Trench MOS   N MOS 20V~100V;P MOS -20V~-100V 
LV SGT MOS   N 30V~150V

新能源汽车充电桩


NEW ENERGY VEHICLE CHARGING PILE

        电动汽车直流充电桩(20KW/30KW/60KW/120KW等),俗称“快充”一般30-40分钟充满电量80%,1小时完全充满。它固定安装在电动汽车外,与交流电网连接,可以为电动汽车动力电池充电的供电设备。直流充电桩的输入交流电压三相380Vac,频率50Hz,采用高频开关电源技术,运用先进的智能动态调整转换为输出可调的直流电源,直接为电动汽车电池充电。由于直流充电桩采用三相供电,可以提供足够的功率,输出的电压和电流调整范围大,功率密度高,效率高,可以实现快速充电市场需求。

        HRmicro推出多层外延超结MOS产品在电动汽车直流充电桩效率、可靠性方面提供高质量产品。

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新能源汽车充电桩市场HRmicro主推超结MOS产品:  600V-650V 30A-80A 普通与FRD系列。


光伏逆变器


PHOTOVOLTAIC INVERTER

        对于光伏微型逆变器、逆变并网系统、小型5G基站、高频焊机等DC-AC类应用,中低压与高压超结MOS和作为主功率变换开关器件。HRmicro超结高压MOS具有开启电压一致性高、较强的EAS能力和短路抗冲击能力等优点,可以应对复杂环境下严苛的过载和短路的工况,此系列应用超结功率MOS管 HRmicroico有带FRD快恢复体二极管与不带普通规格,方便客户选用,特别适合大功率,高频率,多颗并联开关电路运用。

        针对光伏逆变压器市场,HRmicro多层外延超结MOS 600-650V FRD、800V产品及Trench/SGT N沟道40V-150V低压MOS在光伏逆变器效率提升、复杂环境条件适应方面可以提供高质量产品。


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BMS锂电保护


BMS LITHIUM ELECTRIC PROTECTION

      BMS系统指电池管理系统(全称:Battery Management System),俗称“BMS锂电保护”,是对锂电池进行管理的系统,主要就是为了智能化管理及维护各个电池单元,防止电池出现过充和过放及过热,延长电池的使用寿命,监控电池的状态(电池的电压、电流和温度),最大限度地利用电池存储能力和循环寿命。

      HRmicro推出Trench 与SGT 40V-150V低压MOS在BMS锂电保护方面可以提供高质量产品。

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